Philips Semiconductors Preliminary specification PowerMOS transistors PHP10N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS 600 V Stable off-state characteristics High.
Sedangkan source S seakan emitor pada transistor bi-polar NPN ia diberi tegangan negatifGate G seolah basis pada transistor bi-polar NPN namun bedanya adalah bahwa G akan terkondisi selalu lebih negatif terhadap S inilah yang dimaksud tegangan muka terbalik.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance provide superior switching performance and withstand high energy pulse in the. #Tabel persamaan transistor ebook download series#Ĥ0N60SCD1 CoolMOS Power MOSFET with Series Schottky Diode and Ultra Fast Antiparallel Diode in High Voltage ISOPLUS i4-PACTM. MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor adalah sebuah perangkat semionduktor yang secara luas di gunakan sebagai switch dan sebagai penguat sinyal pada perangkat elektronikMOSFET adalah inti dari sebuah IC integrated Circuit yang di desain dan di fabrikasi dengan single chip karena ukurannya yang sangat kecil. It is designed to have Better characteristics such as fast switching time low gate TO-220 TO-220F charge minimized on-state resistance and withstanding high energy.
0 kommentar(er)
